- DB-A3现代电力电子技术实验箱集电力电子新器件(IGBT、MOSFET、GTO、GTR)、驱动电路、保护电路于一体，整个实验箱结构紧凑，布局合理。
该实验箱分布有新器件的驱动与保护电路，由SG3525构成的PWM波形发生器电路，直流电压表 (0～150V)，直流电流表(0～2A)，以及频率与占空比调节电位器，接插件的测试点也分布在面板上，便于学生接线测试。可以完成电力电子新器件(IGBT、MOSFET、GTO、GTR)特性，驱动及保护电路实验。
实验箱可完成
电力电子器件特性及驱动保护实验
（1）单向晶闸管(SCR)特性实验
（2）可关断晶闸管(GTO)特性实验
（3）功率场效应管(MOSFET)特性实验
（4）功率晶体管(GTR)特性实验
（5）绝缘双极性晶体管(IGBT)特性实验
（6）可关断晶闸管(GTO)驱动与保护电路实验
（7）功率场效应管(MOSFET)驱动与保护电路实验
（8）功率晶体管(GTR)驱动与保护电路实验
（9）绝缘双极性晶体管(IGBT)驱动与保护电路实验
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